Fornitura di substrato Si di wafer di silicio monocristallino di tipo N/P per materiali ottici a infrarossi

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Fornitura di substrato Si di wafer di silicio monocristallino di tipo N/P per materiali ottici a infrarossi

Fornitura di substrato Si di wafer di silicio monocristallino di tipo N/P per materiali ottici a infrarossi

Wafer di silicio opzionale tipo N/P con substrato Si di wafer di silicio monocristallino personalizzato 1. Cosa sono i w

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DESCRIZIONE

Informazioni di base
Modello numero:FW-LN
Tecnologia di produzioneSemiconduttore optoelettronico
MaterialeSemiconduttori composti
TipProprio semiconduttore
PacchettoSMD
Elaborazione del segnaleComposizione e funzione analogico-digitale
ApplicazioneGUIDATO
Modello1324
Numero di lottoLucidato
MarchioFinewen
Metodo di crescitaCZ e FZ
orientamento111 o 100
Resistenza0,0005 fino a 150
superficieLucido su entrambi i lati o lucido su un lato
droganteTipo N e tipo P
Particella<30 bei 0,3 um
Il libro< 30 Ähm
TV<15 Ähm
Pacchetto di trasportoCassa
specificadimensione individuale
marchioFW-Wafer
OrigineJiaozuo Henan
Capacità produttiva100.000 pezzi/mese
Descrizione del prodotto

Wafer di silicio monocristallino personalizzato, substrato Si di tipo N/P, wafer di silicio opzionale


1. Cosa sono i wafer di ossido di silicio e la loro applicazione:
Il wafer di biossido di silicio si riferisce alla crescita termica di una pellicola dielettrica uniforme sulla superficie del wafer di silicio, utilizzata come materiale isolante o maschera. Il processo di ossidazione comprende l'ossidazione dell'ossigeno secco ad alta temperatura e l'ossidazione dell'ossigeno umido ad alta temperatura.

Supply Single Crystal Silicon Wafer Si Substrate Type N/P for Infrared Optical Materials

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2.Descrizione del prodotto

Nome del prodotto

CZ e FZ Wafer di silicio lucido

Materiale

silicio

diametro

150mm

Finitura superficiale

SSP

orientamento

Nessuna richiesta

Laureato

Nessuno

Tip

Nessuno

Resistenza

Nessuno

spessore

2500um

3. Realizzazione di un wafer di silicio
Cresceredi silicio Il processo può richiedere da una settimana a un mese a seconda di molti fattori tra cui dimensioni, qualità e specifiche. Oltre il 75% di tutti i wafer di silicio monocristallino vengono coltivati ​​utilizzando il metodo Czochralski (CZ).

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4. Attrezzature che utilizziamo

Supply Single Crystal Silicon Wafer Si Substrate Type N/P for Infrared Optical Materials


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